【資料圖】
SK海力士宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)238層4DNAND閃存,并正在與生產(chǎn)智能手機(jī)的海外客戶公司進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證。
晶體管尺寸微縮遇到物理極限,現(xiàn)已面臨瓶頸,達(dá)到發(fā)展極限。為了在維持性能的情況下實(shí)現(xiàn)容量提升,3DNAND成為發(fā)展主流。
華西證券指出,隨著3DNAND技術(shù)節(jié)點(diǎn)的升級(jí),即堆疊層數(shù)的增加,刻蝕設(shè)備用量需求會(huì)有明顯地變化。3D存儲(chǔ)的發(fā)展大量激發(fā)刻蝕設(shè)備需求,存儲(chǔ)應(yīng)用中,刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備已成為最核心設(shè)備。
利好板塊:半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備
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