近日關(guān)于美光公司的審查結(jié)果落地，其產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)安全審查。在此背景下，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)商或迎來國(guó)產(chǎn)替代的機(jī)會(huì)。與此同時(shí)，從產(chǎn)能和價(jià)格看，存儲(chǔ)芯片行業(yè)將迎來周期修復(fù)。
美光公司產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)審查
5月21日晚，據(jù)網(wǎng)信中國(guó)官微，日前，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室依法對(duì)美光公司在華銷售產(chǎn)品進(jìn)行了網(wǎng)絡(luò)安全審查。
(資料圖片僅供參考)
審查發(fā)現(xiàn)，美光公司產(chǎn)品存在較嚴(yán)重網(wǎng)絡(luò)安全問題隱患，對(duì)我國(guó)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈造成重大安全風(fēng)險(xiǎn)，影響我國(guó)國(guó)家安全。為此，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室依法作出不予通過網(wǎng)絡(luò)安全審查的結(jié)論。按照《網(wǎng)絡(luò)安全法》等法律法規(guī)，我國(guó)內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運(yùn)營(yíng)者應(yīng)停止采購(gòu)美光公司產(chǎn)品。
此次對(duì)美光公司產(chǎn)品進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)安全審查，目的是防范產(chǎn)品網(wǎng)絡(luò)安全問題危害國(guó)家關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施安全，是維護(hù)國(guó)家安全的必要措施。中國(guó)堅(jiān)定推進(jìn)高水平對(duì)外開放，只要遵守中國(guó)法律法規(guī)要求，歡迎各國(guó)企業(yè)、各類平臺(tái)產(chǎn)品服務(wù)進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)。
國(guó)內(nèi)替代產(chǎn)商和上游設(shè)備或?qū)⑹芤?/strong>
據(jù)公開資料顯示，美光科技有限公司是美國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭，通過全球化的運(yùn)營(yíng)，美光公司制造并向市場(chǎng)推出DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲(chǔ)器模塊，用于前沿計(jì)算、消費(fèi)品、網(wǎng)絡(luò)和移動(dòng)便攜產(chǎn)品。
如果美光在中國(guó)區(qū)銷售受到限制，或?qū)?dǎo)致下游客戶轉(zhuǎn)而采購(gòu)國(guó)外三星、 SK海力士，國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等競(jìng)對(duì)產(chǎn)品。
華泰證券表示，美光公司2021/2022年財(cái)報(bào)顯示，2021年該公司來自中國(guó)客戶的銷售收入占比為8.9%，2022年提升至10.8%，美光公司受查影響到其在中國(guó)區(qū)銷售情況，有可能導(dǎo)致下游客戶轉(zhuǎn)而采購(gòu)國(guó)外三星、SK海力士，國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等競(jìng)對(duì)產(chǎn)品。
此外，長(zhǎng)存、長(zhǎng)鑫的上游設(shè)備廠也將從中受益。存儲(chǔ)器的生產(chǎn)已經(jīng)演進(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工藝。另外NAND Flash現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入3D NAND時(shí)代，2 維到3維的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變使刻蝕和薄膜成為最關(guān)鍵、最大量的加工設(shè)備。3D NAND每層均需要經(jīng)過薄膜沉積工藝步驟，同時(shí)刻蝕目前前沿要刻到 60：1的深孔，未來可能會(huì)更深的孔或者溝槽，催生更多設(shè)備需求。
其中，拓荊科技(薄膜沉積)，以及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)占比較高的華海清科(CMP)、盛美上海(清洗)或迎來業(yè)績(jī)收入增長(zhǎng)。
存儲(chǔ)周期底部企穩(wěn)，龍頭減產(chǎn)加速行業(yè)修復(fù)
按產(chǎn)品種類分，存儲(chǔ)市場(chǎng)主要分為 DRAM、NAND、NOR Flash，其中 DRAM占據(jù)主要的市場(chǎng)規(guī)模。
DRAM 供給格局頭部化效應(yīng)明顯，韓系廠商占據(jù)主要份額。根據(jù)Trendforce，22Q4 全球前三大 DRAM 廠商分別為韓國(guó)三星、韓國(guó)海力士與美國(guó)美光，三家廠商市占率合計(jì)為 95.8%。
NAND 競(jìng)爭(zhēng)格局較 DRAM 分散，三星仍占據(jù)龍頭地位；NOR Flash 龍頭主要為臺(tái)系與陸系廠商，兆易創(chuàng)新排名全球第三。
而從行業(yè)整體來看，存儲(chǔ)芯片行業(yè)或已周期觸底，即將迎來上升周期。
德邦證券指出以波谷算，存儲(chǔ)行業(yè)周期約為 3-3.5 年，目前處于周期筑底階段。相較于半導(dǎo)體其它行業(yè)，存儲(chǔ)芯片具有大宗商品屬性，國(guó)際龍頭會(huì)在下游新興需求誕生時(shí)提升自身產(chǎn)能；而當(dāng)擴(kuò)產(chǎn)落地時(shí)，行業(yè)進(jìn)入供過于求周期，各廠商則會(huì)通過降價(jià)進(jìn)行庫(kù)存去化。供給與需求的錯(cuò)配使得存儲(chǔ)行業(yè)具更強(qiáng)的周期性。
可以看到，在13Q2、16Q1、19Q3 左右，行業(yè)龍頭合計(jì)營(yíng)收增速處于周期谷底，對(duì)應(yīng)增速分別為-7%、-29%、-38%。若以谷底計(jì)算，存儲(chǔ)行業(yè)周期約為 3-3.5 年。22Q4，行業(yè)龍頭合計(jì)營(yíng)收增速為-44%，處于筑底階段。若以三年計(jì)算，本輪下行周期預(yù)計(jì)在23Q3 前后結(jié)束。
從價(jià)格看，反映 DRAM 價(jià)格的 DXI 指數(shù)已接近 2020 年低值，目前行業(yè)價(jià)量齊跌。從 22Q1 開始，DXI 指數(shù)進(jìn)入下行通道，指數(shù)有 41712 跌至 23Q1 的 22199，目前價(jià)格指數(shù)已接近 2020 年年初的水平。
而伴隨國(guó)際各龍頭廠商的減產(chǎn)，存儲(chǔ)行業(yè)后續(xù)有望反轉(zhuǎn)向上。目前，三星、海力士等存儲(chǔ)龍頭大都宣布下調(diào)未來產(chǎn)量與資本開支額。其中，海力士 23 年資本支出同比減少50%以上；美光宣布將所有DRAM和NAND晶圓產(chǎn)量減少約20%，德邦證券預(yù)計(jì)行業(yè)有望于 23Q2逐漸企穩(wěn)，23Q3 逐步完成庫(kù)存去化，23Q4 迎來周期反轉(zhuǎn)。